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        DDR2 時鐘測試 數據信號測試

        單價: 面議
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        所在地: 直轄市 北京
        有效期至: 長期有效
        發布時間: 2023-12-14 11:30
        最后更新: 2023-12-14 11:30
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        相關的列地址被選中之后,將會觸發數據傳輸,但從存儲單元中輸出到真正出現在內存芯片的 I/O 接口之間還需要一定的時間(數據觸發本身就有延遲,還需要進行信號放大),這段時間就是非常**的 CL(CAS Latency,列地址脈沖選通潛伏期)。CL 的數值與 tRCD 一樣,以時鐘周期數表示。如 DDR3-800,時鐘頻率為 100MHz,時鐘周期為 10ns,如果 CL=2 就意味著 20ns 的潛伏期。CL只是針對讀取操作。

        由于芯片體積的原因,存儲單元中的電容容量很小,信號要經過放大來保證其有效的識別性,這個放大/驅動工作由S-AMP負責,一個存儲體對應一個S- AMP通道。但它要有一個準備時間才能保證信號的發送強度(事前還要進行電壓比較以進行邏輯電平的判斷),從數據I/O總線上有數據輸出之前的一個時鐘上升沿開始,數據即已傳向S-AMP,也就是說此時數據已經被觸發,經過一定的驅動時間終傳向數據I/O總線進行輸出,這段時間我們稱之為 tAC(Access Time from CLK,時鐘觸發后的訪問時間)。

                              圖中標準CL=2,tAC=1

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