DDR3與DDR2的差異
數據傳輸速率的差異是DDR3與DDR2=顯著的區(qū)別，這部分上文已有描述，我們來看看其他方面的不同。
在供電方面，DDR3的工作電壓降低至1.5V，實際上JEDEC標準規(guī)定1.575V為DDR3的安全工作電壓。標準也規(guī)定內存條所能經受的安全供電電壓必須大于1.975V，當然，在這個電壓下內存條可能已經不能正常工作但還不至于損壞。
在芯片級DDR3引入了異步Reset信號，該信號主要提供兩方面的功能，其一是可以簡化內存芯片上電后的初始化過程，其二是當內存系統(tǒng)進入一旦進入未知或不可控狀態(tài)后可以直接Reset而無需掉電重啟。
在接口方面，以普通的Un-Buffer內存條為例，DDR3與DDR2均為240個pin腳，尺寸一致但防呆槽的位置不同，由于工作電壓不同二者在電氣特性上也是互不兼容的。
在系統(tǒng)設計方面DDR3與DDR2的區(qū)別在于DDR3將時鐘、地址及控制信號線的終端電阻從計算機主板移至內存條上，這樣一來在主板上將不需要任何端接電阻。為了盡可能減小信號反射，在內存條上包括時鐘線在內的所有控制線均采用Fly-by拓撲結構。也是因為Fly-by的走線結構致使控制信號線到達每顆內存顆粒的長度不同從而導致信號到達時間不一致。這種情況將會影響內存的讀寫過程，例如在讀操作時，由于從內存控制器發(fā)出的讀命令傳送到每顆內存芯片的時間點不同，將導致每顆內存芯片在不同的時間向控制器發(fā)送數據。為了消除這種影響，需要在對內存進行讀寫等操作時對時間做補償，這部分工作將由內存控制器完成。DDR3總線的系統(tǒng)框架如下圖所示，其中紅線代表DQ、DM以及差分DQS信號線，黑線代表時鐘、地址及控制信號線，T代表相應的端接電阻。
