| 單價： | 面議 |
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| 所在地： | 直轄市 北京 北京海淀 |
| 有效期至： | 長期有效 |
| 發(fā)布時間： | 2025-09-15 17:13 |
| 最后更新： | 2025-09-15 17:13 |
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化合物半導體展暨2025中國國際半導體博覽會將于2025年11月在北京亦創(chuàng)國際會展中心以“化合物半導體”作為核心單元，與綜合性半導體博覽會同址同期舉行。本屆展會為期三天，面向產(chǎn)業(yè)鏈全環(huán)節(jié)，聚焦砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石（Diamond）、氧化鎵（Ga?O?）六大材料體系及其在航空航天、石油勘探、寬帶通訊、汽車制造、智能電網(wǎng)等關鍵場景的應用驗證與商業(yè)化路徑。
一、定位與結(jié)構(gòu)
主辦方將展館劃分為“材料-晶圓-器件-模組-系統(tǒng)”五級遞進式展區(qū)，真實還原一條化合物半導體從晶體生長到終端集成的完整技術鏈。每個展區(qū)設置“性能-環(huán)境-壽命”三軸測試島，可現(xiàn)場完成-55 ℃~+300 ℃溫循、10 kV浪涌、101? cm?3中子輻照等極端工況演示。
二、核心展示內(nèi)容
材料端
砷化鎵：8英寸VB/VGF雙工藝晶圓同臺對比，位錯密度8 MV/cm數(shù)據(jù)現(xiàn)場復測驗證。
器件與模組端
航空航天：磷化銦基94 GHz T/R組件MTBF>100 000 h報告現(xiàn)場簽字發(fā)布。
石油勘探：碳化硅MOSFET+SiC SBD智能功率模塊耐溫225 ℃，連續(xù)運行1000 h無漂移。
寬帶通訊：氮化鎵毫米波功放模組，飽和功率65 dBm，線性增益25 dB，面向D-band回傳。
汽車制造：全碳化硅電驅(qū)逆變器功率密度50 kW/L，效率峰值99.2%，已通過AEC-Q101 Grade 0認證。
智能電網(wǎng)：氧化鎵橫向功率器件，擊穿電壓>3 kV，導通電阻480家（其中材料企業(yè)28%、晶圓廠12%、IDM/Fabless 25%、設備與檢測20%、應用系統(tǒng)15%）
觀眾：預登記>25 000人，國際觀眾占比11%
技術報告：>120場